光耦继电器电路中经常被人忽略的几个因素！-华南微半导体

    设计在电路中的主要作用，是对光能与电能进行隔离，从而达到防止干扰保护电路运行状态为目的。但是在对光耦电路进行设计之前，首先需要了解一些基础的且较为重要的知识点，否则在设计过程中就有可能造成不必要的错误，达不到保护电路的目的。

    光电耦合器的优势有目共睹，其体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号表现优异，在数字电路上也有广泛的应用。而在光耦电路设计中，有两个参数常常被人忽视，需要格外注意。

    反向电压

    反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED时，需要增加保护电路。

    电流传输比

    另外一个参数是光耦的电流传输比，是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

    除上述两个参数外，光耦还有几个参数是比较重要的，如：

    正向工作电压Vf

    Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。

    集电极电流Ic

    光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。

    C-E饱和电压Vce

    即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。

    上升时间Tr与下降时间Tf

    其定义与典型测试方法如图所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。

    以上6个参数是在光耦电路中较为重要，但也是经常被设计者们所忽略的关键点。在接触光耦设计之前对这几个参数进行一定程度上的了解，能够最大程度的避免光耦电路设计错误情况的发生。与此同时，在光耦电路发生错误的时候也可先从这些参数入手，看看是否是关键参数出了问题。

    华南微半导体是专业的LED光电控制器件、光电耦合器、光MOS继电器、LED外延芯片的高新设计创新型企业，总部位于广东省深圳市南山区高新技术园区内，并在杭州、上海和香港设有研发中心和销售服务支持中心。公司专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、低电容等各类特殊应用的光电耦合器产品，并可根据客户需要，为客户提供定制类的产品设计及生产，使客户的产品更具有市场竞争优势。本司的高低压继电器光耦具有在行内领先的研发实力，成功设计并量产了60V、400V、600V等不同负载电压、各种负载电流光电耦合继电器，广泛应用于家用电器、智能电网、工业测控、5G通信、工控设备等领域。