通用型与达林顿型光耦合器的不同点!-华南微半导体

    通用型和达林顿型光耦的区别：

    第一步：

    在通用光耦合器中，接收器是硅光电半导体管，所以B-E之间只有一个硅PN结。否则，由复合管组成，两个硅PN结串联成复合管的发射结。根据上述差异，通用光耦合器和达林顿光耦合器很容易区分。具体方法是将万用表拨到R&TI社区">TImes；100档，黑表笔接B极，红表笔接E极，读取电压法求出发射结正电压VBE。如果VBE=0。55~0。7V，就是达林顿光耦合器。

    第二步：

    通用型和达林顿型光电耦合的主要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hfe是几十倍到几百倍，后者是几千倍，两者相差1~2个数量级。因此，只要正确测量hfe值，就能区别开来。

    测量时的注意事项：

    由于达林顿型光耦的hFE值较高，因此表针两次偏转格数非常接近。正确读取n1，n2的格数是本方法的关键，否则会造成较大的误差。另外，欧姆零点也应该提前调整。

    （2）如果4N30中的发射管损坏，但接收管没有发现故障，可以代替超β管。同样，如果4N35中的接收管完好无损，也可以用作普通硅NPN晶体管，实现废物利用。

    （3）本方法不再适用于无基极引线的通用型和达林顿型光耦合器。建议通过测量电流传输比CTR来区分。

    华南微半导体是专业的LED光电控制器件、光电耦合器、光MOS继电器、LED外延芯片的高新设计创新型企业，总部位于广东省深圳市南山区高新技术园区内，并在杭州、上海和香港设有研发中心和销售服务支持中心。公司专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、低电容等各类特殊应用的光电耦合器产品，并可根据客户需要，为客户提供定制类的产品设计及生产，使客户的产品更具有市场竞争优势。本司的高低压继电器光耦具有在行内领先的研发实力，成功设计并量产了60V、400V、600V等不同负载电压、各种负载电流光电耦合继电器，广泛应用于家用电器、智能电网、工业测控、5G通信、工控设备等领域。