South China Microelectronics
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光宝LITE-ON 光耦合器 LTV-0501 替代系列

作者:华南微半导体来源:华南微半导体

产品说明

LTV-0501由一个高效的AlGaAs发光二极管和一个高速光学检测器组成。这种设计在光耦的输入端和输出端之间提供了极好的交流和直流隔离。通过降低基极集电极电容,光电二极管偏置的连接提高了传统光电晶体管耦合器的速度。保证的共模瞬态免疫力最高可达1KV/ mvsec。


特性

■ SO8包装

■ 高速-典型的1MBd

■ 可提供双直线,宽引线间距,表面安装包装。

■ 存储输出。


应用程序

■ 高电压隔离

■ 线路内隔离接收机

■ 开关电源的反馈元件

■ 电机驱动器中的功率晶体管隔离

■ 微处理器系统、计算机和设备之间的接口

■ 取代脉冲变压器。

■ 更换较慢的光耦隔离器。


功能图

image.png

真值表(正逻辑)

LED输出
L
H

一个 0.1µF 旁路电容必须连接在引脚 8 和引脚 5 之间


包装尺寸


image.png

零件号:LTV-0501

注意事项:

1. 日期代码

2. “V”代表 VDE0884

3. 日期代码

4. 尺寸均以毫米为单位。


胶带尺寸

image.png


描述符号尺寸单位:毫米(英寸)
宽胶带W16±0.3(0.63)
链轮孔节距P04±0.1(0.15)
间的距离F
P2
7.5±0.1(.295)
2±0.1(0.079)
隔室间的距离P18±0.1(0.47)


每卷数量

封装类型
LTV-0501
数量(件)2000


评级和特征

Ta=25°C 时的绝对最大额定值*1

参数符号额定功率单位
输入量平均正向输入电流IF25mA
反向输入电压VR5V
功耗PI45mW
输出量输出集电极电流Io8mA
输出集电极电Vo-0.5~15V
输出集电极功耗Po100mW
隔离电压Viso3750Vrms
电源电压Vcc-0.5~15V
工作温度Topr-55 ~ +110°C
贮存温度Tstg-55 ~ +125°C
引线焊接温度*2Tsol260°C

1. 环境温度= 25℃,除非另有说明。超过绝对最大额定值的应力可能对设备造成永久性损伤。长时间接触绝对最大评级会对可靠性产生不利影响。

2. 260℃持续10秒。请参阅无铅回流剖面。


Ta=25°C 时的电光学特性

参数符号最小值典型值最大值单位试验条件
输入
输入正向电压VF

1.8VIF=16mA,   TA=25℃
输入反向电压BVR5

VIR   = 10µA
转移
电流传输比CTR192450%IF=16mA;Vcc=4.5V;
    TA=25℃;Vo=0.4V

1525
IF=16mA;Vcc=4.5V;
    TA=25℃;Vo=0.5V
逻辑低输出电压输出电压VOL
0.10.4VIF=16mA;Vcc=4.5V;
    Io=3.0mA; TA=25


0.10.5IF=16mA;Vcc=4.5V;
    Io=2.4mA; TA=25
逻辑高输出电流IOH
0.0030.5μAIF=0mA,   Vo=Vcc=5.5V
    TA=25


0.011IF=0mA,   Vo=Vcc=15V
    TA=25



50Vo = Vcc = 15 V
逻辑低电源电流IccL
50200μAIF=16mA,Vo=open
    (Vcc=15V)
逻辑高电源电流IccH
0.021μAIF=0mA,Vo=open;
    TA=25℃ (Vcc=15V)

*所有典型的Ta = 25℃


开关规格

除非另有规定, Ta=0~70℃, Vcc=5V

参数符号最小值典型值最大值单位试验条件
传播延迟时间到低输出水平tPHL
0.20.8μsTA=25℃
    (RL=1.9KΩ, IF=16mA)
传播延迟时间到高输出水平tPLH
0.60.8μsTA=25℃
    (RL=1.9KΩ, IF=16mA
高共模暂态抗扰性|CMH|
1
KV/µsIF=0mA;VCM=10Vp-p;
    CL = 15 pF; TA=25℃
低共模暂态抗扰性|CML|
1
KV/µsIF=0mA;VCM=10Vp-p;
    CL = 15 pF; TA=25℃

*所有典型的Ta = 25℃


隔离的特点

参数符号最小值典型值最大值单位试验条件
输入-输出绝缘泄漏电流II-O

1µA45%   RH, t = 5s,
    VI-O = 3kV DC, TA = 25℃
耐受绝缘试验电压VISO3750

VRMSRH   ≤ 50%, t = 1min,
    TA = 25℃
输入输出电阻RI-O
1012
VI-O = 500V DC

*所有典型的Ta = 25℃


1. 如图1所示,VCC需要一个0.1个各不相同或更大的旁路电容

2. 电流传递比定义为输出集电极电流Io与LED正向输入电流IF的比值乘以100。

3.1.9 kΩ负载马代表1 ttl单位荷载的1.6和5.6 kΩ负载电阻。

4. 4.1 kΩ负载马代表1 lsttl单位荷载的0.36和6.1 kΩ负载电阻。


特性曲线

            图1:直流和脉冲传输特性                                            图4:电流传输比与输入电流

image.png


        图2:输入电流与正向电压                                       图5:电流传递比与温度的关系

image.png


      图3:逻辑高输出电流与温度的关系                                图6:小信号电流传递比与静态电流

image.png


        图7:传播延迟时间与温度的关系             

image.png


图8:传播延迟时间与负载电阻

image.png


开关时间测试电路

image.png

图1:tPHL和tPLH单通道测试电路


image.png

图2:共模暂态抗扰度单通道测试电路


焊接温度曲线

IR回流焊(符合JEDEC-STD-020C标准)

建议在如下所示的温度和时间条件下进行一次回流焊。焊料不要超过三次。

配置文件项条件
预热
    - 温度最小值(Tsmin)
    - 温度最大值(Tsmax)
    - 时间(最小至最大) (Ts)
150˚C
    200˚C
    90±30秒
焊接区
    - 温度 (TL)
    - 时间(tL)
217˚C
   60秒
峰值温度(TP)260˚C
加速率3˚C/秒最大
缓降率3˚~ 6˚C /秒

image.png


波峰焊(JEDEC22A111兼容)

建议在温度条件下一次性焊接。

温度:260 + 0/-5˚C

时间:10秒。

预热温度:25 - 140˚C

预热时间:30 - 80秒。

image.png

烙铁手焊

允许在每个工艺过程中进行单铅焊接。建议一次焊接。

温度:380 + 0/-5˚C

时间:最多3秒。


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邮箱:scm@scmicro.com
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